上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，防止制作过程中金属布线被刻蚀损伤和被氧化
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2025-05-22 10:37:59
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120015702A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉一种半导体结构及其制备方法，其中，制备方法包括：提供第一层间介质层，所述第一层间介质层内具有金属布线，所述第一层间介质层的顶面露出所述金属布线的顶面，且所述金属布线的顶面具有凹陷；在所述凹陷中形成导电保护层，所述导电保护层的顶面与所述第一层间介质层的顶面齐平；在所述第一层间介质层的顶面形成第二层间介质层，并在所述第二层间介质层中形成露出所述导电保护层的至少部分表面的通孔；形成填充满所述通孔的金属插塞。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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