旷通半导体申请超结半导体结构及其制备方法专利，提高器件的可靠性_行业新闻

旷通半导体申请超结半导体结构及其制备方法专利，提高器件的可靠性

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2025-12-05 21:36:58

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国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“超结半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121078775A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种超结半导体结构及其制备方法，其包括第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第一导电类型吸引区和第一导电类型第二外延层，第一导电类型第一外延层设置有多层，第一导电类型第一外延层内均注入第二导电类型离子以形成第二导电类型第一柱区，每排第二导电类型第一柱区相连形成第二导电类型第一柱，第一导电类型吸引区设置在第二导电类型第一柱内，第一导电类型第二外延层上开设有第一沟槽，第一沟槽内填充第二导电类型材料以形成第二导电类型第二柱，第二导电类型第二柱与对应的第二导电类型第一柱连接，本发明具有吸引电流靠近，改变电流的集中区域，形成较大的电场屏蔽区域，进而优化EAS雪崩，提高器件的可靠性的效果。

天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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