南京矽力微电子申请双向ESD二极管及其制造方法专利，减少光照步骤
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2025-05-23 11:34:06
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，南京矽力微电子技术有限公司申请一项名为“双向ESD二极管及其制造方法”的专利，公开号CN120035153A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明提供一种双向ESD二极管及其制造方法，包括：第一掺杂类型的基底；位于所述基底中的具有第二掺杂类型的埋层；以及，位于所述基底中的至少2N个单元结构，所述单元结构包括：从所述基底上表面并向其内部延伸的具有第一掺杂类型的第一掺杂区和具有第二掺杂类型的第二掺杂区；至少位于每相邻的两个单元结构之间的一个隔离区；其中，所述隔离区从所述基底的上表面至少延伸至所述埋层的上表面，N是大于等于1的正整数。
天眼查资料显示，南京矽力微电子技术有限公司，成立于2012年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4929.6575万人民币。通过天眼查大数据分析，南京矽力微电子技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，专利信息245条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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