南亚科技申请存储器装置与其制造方法专利，减少存储器装置的操作时间
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2025-05-23 11:34:07
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利，公开号CN120035138A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，一种形成存储器装置的方法包含：在基板中形成沟槽；形成内衬于沟槽的第一介电层；在沟槽中形成第一导电层；回蚀第一导电层，而在第一导电层上形成原生氧化层；执行蚀刻工艺以移除原生氧化层以曝光第一导电层并修整被第一导电层曝光的第一介电层的一部分；及在沟槽中形成与第一导电层接触的第二导电层。
来源：金融界
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