杭州镓仁半导体取得氧化镓晶体生长炉热场结构专利，提高晶体质量
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2025-12-29 17:09:12
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国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司取得一项名为“一种氧化镓晶体生长炉的热场结构”的专利，授权公告号CN223723271U，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种氧化镓晶体生长炉的热场结构，涉及晶体生长技术领域，包括：晶体生长炉，晶体生长炉的底部设置有与炉腔相通的竖直通道孔；硅钼棒加热器，硅钼棒加热器设置在炉腔内；坩埚，坩埚能够穿过竖直通道孔进入炉腔内；升降驱动机构，升降驱动机构用于驱动坩埚通过竖直通道孔进入炉腔内或通过竖直通道孔离开炉腔；保温元件，保温元件包括保温隔板和保温柱。坩埚撤离炉腔后，保温隔板能够遮盖竖直通道孔的顶端，一方面有效降低坩埚和晶体温度，并提高晶体的质量；另一方面能够有效防止炉腔内热量通过竖直通道孔散失，使炉内温度更加稳定，维持硅钼棒加热器在出料阶段的温度从而避免其因温度降低至冷脆状态而开裂。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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