华虹半导体申请 MOM 电容结构专利，提高了叠层 MOM 电容结构的整体电容密度_行业新闻

华虹半导体申请 MOM 电容结构专利，提高了叠层 MOM 电容结构的整体电容密度

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2025-05-15 10:44:54

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金融界 2025 年 5 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“MOM 电容结构”的专利，公开号 CN119947128A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本申请提供一种 MOM 电容结构，包括：依次堆叠的多层绝缘介质层、若干第一主体金属线、若干第二主体金属线和若干第一导电插塞和若干第二导电插塞，其中，本申请通过在纵向堆叠的第一主体金属线之间设置多个第一导电插塞以及在纵向堆叠的第二主体金属线之间设置多个第二导电插塞，并且在同一层绝缘介质层中，第一导电插塞和第二导电插塞呈点状式错落排布，使得第一导电插塞、第二导电插塞和二者之间的绝缘介质层构成若干 MOM 电容，从而提高了叠层 MOM 电容结构的整体电容密度，提高了电容的稳定性，也提高了器件的可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1634条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目368次，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可225个。

来源：金融界

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