赛晶亚太申请新式内置栅极电阻器结构半导体功率器件专利，解决高温下损耗高技术问题
创始人
2026-01-05 15:08:10
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国家知识产权局信息显示，赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司申请一项名为“一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121262861A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法；半导体衬底的有源区设有栅极电解质层，栅极电解质层上设有多晶硅层，多晶硅层上设有第一连通孔，各第一连通孔设有温度系数热敏电阻，温度系数热敏电阻延伸至第一通孔外，多晶硅层和各温度系数热敏电阻上设有层间介质层，层间介质层上开设有第二通孔和第三通孔，第二通孔内填充有第一金属层，第三通孔内填充有第二金属层，层间介质层上设有栅极焊盘以及栅极流道，栅极焊盘、栅极流道和层间介质层上设有钝化层。新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件结构设计以解决现有的内置栅极电阻器结构的半导体功率器件在较高的温度下损耗高的技术问题。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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