长鑫集电申请半导体结构及其形成方法专利，明显降低有源区发生倒塌的概率
创始人
2025-05-24 09:09:21
0次
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120033142A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底；对衬底进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第一沟槽；形成第一填充层，第一填充层填充第一沟槽且覆盖蚀刻后的衬底的表面；对部分第一沟槽进行蚀刻，以形成多个第二沟槽，相邻的两个第二沟槽之间均具有填充了第一填充层的第一沟槽；形成第二填充层，第二填充层填充第二沟槽；对剩余的第一沟槽进行蚀刻，以形成第三沟槽，相邻的两个第三沟槽之间均具有填充了第二填充层的第二沟槽；形成第三填充层，第三填充层填充第三沟槽。
天眼查资料显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4481039.58万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫集电（北京）存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目135次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1242个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
通嘉科技取得应用于电源转换器二...
国家知识产权局信息显示，通嘉科技股份有限公司取得一项名为“应用于电源转换器的二次侧的次级控制器及其操...
高盟新材：公司半导体封装胶项目...
有投资者在互动平台向高盟新材提问：“贵公司的胶粘剂是否应用于半导体封装领域？” 针对上述提问，高盟新...
银河微电：主营各类半导体元器件
证券之星消息，银河微电(688689)06月01日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
海信家电申请半导体装置专利，驱...
国家知识产权局信息显示，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN1221...
云舟集成电路申请基于以太网的高...
国家知识产权局信息显示，云舟集成电路（武汉市）有限公司申请一项名为“一种基于以太网的高性能芯片系统及...
“菲律宾上赶着美国搞芯片，激怒...
【文/观察者网 陈思佳】 去年12月，美国政府启动所谓“硅和平”（Pax Silica）倡议，寻求...
多家PCB上市公司发布扩产计划...
截至14:08，港股通信息技术ETF（513240）上涨0.87%，即将冲击3连涨。成分股中，美图公...
原创 西...
乌克兰军方最新技术分析报告揭示了一个令人震惊的细节：2026年5月24日被击落的俄罗斯榛树中程弹道导...