长鑫集电申请半导体结构及其形成方法专利，明显降低有源区发生倒塌的概率
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2025-05-24 09:09:21
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120033142A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底；对衬底进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第一沟槽；形成第一填充层，第一填充层填充第一沟槽且覆盖蚀刻后的衬底的表面；对部分第一沟槽进行蚀刻，以形成多个第二沟槽，相邻的两个第二沟槽之间均具有填充了第一填充层的第一沟槽；形成第二填充层，第二填充层填充第二沟槽；对剩余的第一沟槽进行蚀刻，以形成第三沟槽，相邻的两个第三沟槽之间均具有填充了第二填充层的第二沟槽；形成第三填充层，第三填充层填充第三沟槽。
天眼查资料显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4481039.58万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫集电（北京）存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目135次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1242个。
来源：金融界
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