邦芯半导体申请高深宽比刻蚀结构形貌改善专利有效解决刻蚀倾斜的异常形貌_行业新闻

邦芯半导体申请高深宽比刻蚀结构形貌改善专利有效解决刻蚀倾斜的异常形貌

创始人

2025-05-24 09:09:22

0次

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构”的专利，公开号CN120033146A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构，方法包括：在第一空间中形成密度持续增大的等离子体；使等离子体在压力的自然作用下，通过第一空间的底部被分散并向下扩散至第二空间中，以在到达位于第二空间中的衬底的表面上时，在衬底的整个表面上形成密度趋于均匀的所述等离子体；通过等离子体对衬底的表面进行向下刻蚀，形成分布在衬底上的多个高深宽比刻蚀结构，并在刻蚀过程中，根据获取的高深宽比刻蚀结构的倾斜发生区域和倾斜度大小数据，对衬底上的目标改善区域施加额外的局部修正电场，并调节使该局部修正电场的电场强度至预设值。

天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

企业显示信息空间形貌等离子体电场导体结构专利衬底

上一篇：长鑫集电申请半导体结构及其形成方法专利，明显降低有源区发生倒塌的概率

下一篇：赖茵豪森申请用于监控有载分接开关的设备和方法专利，根据特征性参量和烧损模型确定有载分接开关的至少一个触点的烧损

邦芯半导体申请高深宽比刻蚀结构形貌改善专利有效解决刻蚀倾斜的异常形貌

相关内容

热门资讯

邦芯半导体申请高深宽比刻蚀结构形貌改善专利 有效解决刻蚀倾斜的异常形貌

相关内容

热门资讯

邦芯半导体申请高深宽比刻蚀结构形貌改善专利有效解决刻蚀倾斜的异常形貌