上海积塔半导体申请功率器件及其制备方法等专利降低寄生电容_行业新闻

上海积塔半导体申请功率器件及其制备方法等专利降低寄生电容

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2025-05-24 10:34:41

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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备”的专利，公开号CN120035188A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本公开涉及一种功率器件及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备，包括，金属漏极；第一离子类型的衬底，位于金属漏极上；第一离子类型的外延层，位于第一离子类型的衬底上；源极，位于第一离子类型的外延层顶部相对的两侧，源极覆盖第一离子类型的外延层的部分顶面；栅极，位于第一离子类型的外延层上未被源极覆盖的部分，栅极部分第一离子类型的外延层的顶部接触，且栅极的底部形成有空气调节区。通过在栅极与漏极之间增加空气调节区，至少能够降低寄生电容，提高功率器件的工作频率且不影响功率器件的导通电阻。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1099条，此外企业还拥有行政许可191个。

来源：金融界

企业方法栅极功率降低器件离子导体专利类型外延层源极

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