南亚科技申请位元线结构和电容器接触之间的气隙的制备方法专利，提供一种在位元线结构和电容器接触之间具有气隙的半导体元件及其制备方法
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2025-05-24 11:03:56
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“位元线结构和电容器接触之间的气隙的制备方法”的专利，公开号CN120035130A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法，所述半导体元件在位元线结构和电容器接触之间具有一气隙。该方法包括在一基板中定义一主动区域，形成设置于该主动区域之上且与其电性连接的一位元线结构和电容器接触，形成夹在该位元线结构和该电容器接触之间的一第一间隔物结构，并形成设置于该第一间隔物结构之上的一第二间隔物结构。该第一间隔物结构包括一气隙结构，且该气隙结构被该第二间隔物结构覆盖。
来源：金融界
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