杭州镓仁半导体申请晶圆中位错检测方法专利，提升位错密度的检测准确性
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2026-01-20 00:08:30
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国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆中位错的检测方法、装置、电子设备和程序产品”的专利，公开号CN121347565A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及晶体缺陷检测领域，公开了一种晶圆中位错的检测方法、装置、电子设备和程序产品，方法包括：获取在目标g矢量下，X射线与待测晶圆的位错相互作用产生的衍射图像；确定所述衍射图像中与所述位错相对应的所有衬度线条的总长度；确定X射线在所述待测晶圆中与所述目标g矢量相对应的探测体积；通过所述总长度和所述探测体积确定所述待测晶圆中位错的密度。本申请的检测方法为非损耗性检测，可以降低检测成本；X射线衍射成像对位错的探测具有极高的灵敏度，可以提高检测灵敏性，同时可以提高检测速度；还可以精确得到位错的总长度，进而提升位错密度的检测准确性。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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