早盘存储芯片概念延续强势，消息面上，美股闪迪涨8%，再创历史新高。花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。此外，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。根据TrendForce调查，预估整体一般型DRAM合约价将季增55-60%，预计各类NAND Flash产品合约价持续上涨33-38%。

华福证券指出，美股存储链不断创新高，存储涨价开始逐步兑现业绩。AI数据中心投资推动高端存储芯片需求，内存大周期持久性或超预期。存储芯片需求的激增是由像谷歌、微软、亚马逊、Meta和OpenAI这样的科技巨头推动的，它们向AI数据中心的投资推动了高性能DRM的需求。预计到2030年，HBM市场的规模将增长两倍，达到1000亿美元。此外，随着AI趋势转向推理应用，通用型DRAM的需求也在增长。DRAM和NAND闪存的价格上涨预计将持续到2026年。

截至2026年1月21日 09:47，国证半导体芯片指数(980017)强势上涨4.69%，成分股龙芯中科上涨20.00%，海光信息上涨13.11%，澜起科技上涨6.71%，紫光国微，景嘉微等个股跟涨。半导体ETF(159813)上涨4.37%，最新价报1.32元。

半导体ETF紧密跟踪国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片产业相关上市公司的市场表现，丰富指数化投资工具，编制国证半导体芯片指数。

数据显示，截至2025年12月31日，国证半导体芯片指数(980017)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、北方华创、兆易创新、澜起科技、中微公司、豪威集团、拓荆科技、长电科技，前十大权重股合计占比68.8%。

半导体ETF(159813)，场外联接(A：012969；C：012970；I：022863)。

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