芯合半导体申请SiC MOSFET并联应用电路专利，降低SiC MOSFET器件并联使用困难性
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2026-01-21 18:38:23
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国家知识产权局信息显示，芯合半导体（合肥）有限公司申请一项名为“一种SiC MOSFET并联应用电路”的专利，公开号CN121356306A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SiC MOSFET并联应用电路，涉及电力电子领域，包括单支路与平均值之差计算电路单元、供电给定调整电路单元、驱动正电平给定电路单元、驱动输出级电路单元、并联MOSFET单元和各支路温度检测电路单元；所述单支路与平均值之差计算电路单元、供电给定调整电路单元、驱动正电平给定电路单元、驱动输出级电路单元、并联MOSFET单元和各支路温度检测电路单元依次电连接，并联MOSFET单元上设有基板或散热片模块；各支路温度检测电路单元的阻值输出端和单支路与平均值之差计算电路单元的反馈端电连接。本发明降低SiC MOSFET器件并联使用困难性。
天眼查资料显示，芯合半导体（合肥）有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16679.0706万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合半导体（合肥）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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