达尔科技申请半导体结构及其制造方法专利，涉及半导体结构及其制造方法
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2025-05-24 16:09:03
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120035185A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：碳化硅层，区分有单元区，以及围绕所述单元区的端接区，其中所述碳化硅层的顶表面沿水平方向延伸；第一保护环结构，位于所述碳化硅层的所述端接区，且邻接所述碳化硅层的所述顶表面，其中所述第一保护环结构包括至少一个第一护环阱区；以及第二保护环结构，位于所述第一保护环结构下方的所述碳化硅层中，且与所述碳化硅层的所述顶表面分离，其中所述第二保护环结构包括至少一个第二护环阱区沿垂直方向对应至少一个所述第一护环阱区。
来源：金融界
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