长鑫芯瑞申请半导体结构及其操作方法专利，第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现_行业新闻

长鑫芯瑞申请半导体结构及其操作方法专利，第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现

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2026-01-23 21:11:00

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国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其操作方法”的专利，公开号CN121398020A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在第一方向上的两端，第一延伸部与共用沟道区邻近第二栅极层一侧的端部连接，第二延伸部与共用沟道区邻近第一栅极层一侧的端部连接；共用沟道区和第一延伸部的掺杂类型相同，且与第二延伸部的掺杂类型相反；第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现，第二存储层的数据写入基于第二栅极层与参考电压的电压差在第二预设范围来实现。

天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息23条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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