国家知识产权局信息显示,广州增芯科技有限公司申请一项名为“SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构”的专利,公开号CN121398562A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明提供了一种SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构,该方法通过将已经制备好半导体器件的第一晶圆与第二晶圆键合,并将第一晶圆的衬底从背面减薄至目标顶硅层厚度,随后在减薄后的顶硅层表面生长氧化层,形成SOI结构,并在SOI结构中形成背部互连结构以连接半导体器件,从而形成SOI芯片结构。该方法使用常规半导体器件晶圆、生产工艺就能制作SOI芯片结构,同时由于顶硅层厚度灵活可控,因此无需额外的SOI晶圆就能同时满足PD‑SOI或FD‑SOI芯片的制作,也无需额外的工艺调整或者专用设备投入;另外由于半导体器件已经在前导工艺中完成,本发明的整体工艺流程对SOI器件的性能并无影响,因此在保证SOI芯片质量的基础上显著降低了SOI芯片制造的技术门槛与成本。
天眼查资料显示,广州增芯科技有限公司,成立于2021年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析,广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目52次,财产线索方面有商标信息53条,专利信息194条,此外企业还拥有行政许可180个。
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