长江存储申请半导体结构及其制造方法专利，提升顶部选择栅层中的沟道电流
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2026-02-06 19:40:21
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统”的专利，公开号CN121463440A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统，该半导体结构包括堆叠结构、第一沟道结构、第二绝缘层、顶部选择栅极层及第二沟道结构。堆叠结构包括交替设置的第一绝缘层和第一导电层，第一沟道结构贯穿堆叠结构，第二绝缘层设于堆叠结构的一侧设置于堆叠结构上，顶部选择栅极层设于第二绝缘层远离堆叠结构的一侧设置于第二绝缘层上，第二沟道结构贯穿顶部选择栅极层以及伸入至第二绝缘层中，第二沟道结构包括第一结晶硅层，第一结晶硅层与第一沟道结构耦接，第一结晶硅层包括第一金属元素。与相关技术相比，本发明提升了顶部选择栅层中的沟道电流。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1443次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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来源：市场资讯
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