合肥晶合申请半导体测试结构及保护MOS管选取方法专利，避免电阻因过温而被烧伤，节约了成本
创始人
2026-03-03 18:13:00
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及保护MOS管的选取方法”的专利，公开号CN121595927A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体测试结构及保护MOS管的选取方法，属于半导体技术领域，包括两个电阻、两个焊盘及保护MOS管，两个焊盘接收不同的电压，两个电阻串联后两端分别连接一个焊盘，保护MOS管的漏极连接在两个电阻之间，保护MOS管的源极和栅极均接地；在第一预定温度范围内，保护MOS管上的电流至少小于电阻上的电流的5%，在第二预定温度范围内，保护MOS管上的电流为电阻上的电流的70%~130%，第二预定温度范围的最小值大于第一预定温度范围的最大值。本申请在较小的温度下，保护MOS管不会影响电阻的正常测试，在较大的温度下，保护MOS管可以对电阻上的电流进行分流，避免电阻因过温而被烧伤，节约了成本。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1662条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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