铠侠申请半导体存储装置专利，提高半导体存储装置的成品率
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2026-03-10 23:14:51
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121645884A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提高半导体存储装置的成品率。实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层及多个第1绝缘膜，在第1方向交替积层；存储器柱，在第1方向延伸，通过多个配线层及多个第1绝缘膜，这里，存储器柱具有在第1方向延伸的半导体、设置在半导体与多个配线层及多个第1绝缘膜之间的第2绝缘膜、设置在第2绝缘膜与多个配线层及多个第1绝缘膜之间的电荷蓄积膜、设置在电荷蓄积膜与多个配线层之间的多个第3绝缘膜、及设置在电荷蓄积膜与多个第1绝缘膜之间的多个第4绝缘膜；及第5绝缘膜，以覆盖多个配线层的端部中的侧面部分的方式设置，对氢氟酸的蚀刻速率低于第4绝缘膜。
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来源：市场资讯
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