上海阿珀特信息科技有限公司申请基于沟道边缘电场增强薄膜晶体管专利，提升开态电流60%-150%
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2026-03-11 15:28:07
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国家知识产权局信息显示，上海阿珀特信息科技有限公司申请一项名为“一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管”的专利，公开号CN121645959A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管，旨在解决TFT在有限面积内驱动电流不足的问题。通过将晶体管的半导体沟道构图为一种预设的二维微结构，如分形、多孔或锯齿结构，使沟道的总边缘长度(P)与宏观宽度(W)之比（P/W）远大于常规设计，以利用沟道边缘的电场集中效应，在边缘区域形成了高电导率的边缘导电通道，该边缘导电通道与传统的体电导通道并联，从而在不增加器件面积的前提下，将开态电流提升60%‑150%。本发明实现了驱动能力与宏观L/W比的解耦，适用于OLED驱动等高性能电子领域。
天眼查资料显示，上海阿珀特信息科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本112万人民币。通过天眼查大数据分析，上海阿珀特信息科技有限公司专利信息4条。
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来源：市场资讯
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