拓荆创益申请转换腔室和半导体工艺设备专利，能够减少颗粒对于晶圆的污染影响
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2026-03-14 23:33:21
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种转换腔室和半导体工艺设备”的专利，公开号CN121665987A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种转换腔室和半导体工艺设备。转换腔室包括：放置台，用于放置晶圆；输气口，位于所述转换腔室的底部，经由所述输气口对腔室内进气和抽气，以进行大气环境和真空环境的转换；以及分气挡板，其中分布分气孔，所述分气挡板位于所述放置台和底部的所述输气口之间，用于在进气或抽气时增大气体流阻。本发明能够降低转换腔室内进行真空和大气环境转换过程中的气流扰动，从而降低颗粒的扬尘效应，进而能够减少颗粒对于晶圆的污染影响，提高后续的器件成品率。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息509条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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