国家知识产权局信息显示,北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备”的专利,公开号CN121712095A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。其中,制备方法包括:在衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构,第二有源结构相较于第一有源结构远离衬底,第二有源结构是进行离子注入的;在第二有源结构的第一区域上外延生长第一PN结的第一结构,第一外延结构包括沿第一方向外延生长的第一外延结构和沿第二方向外延生长的第二外延结构,第一外延结构与第二外延结构的导电性不同,第一方向和第二方向相反;基于第一结构,形成第一PN结的第二结构,第二结构包括第一金属结构和第一层间介质层。本申请通过制备半导体结构的单面PN结,增强了半导体器件中电路设计的灵活性。
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来源:市场资讯