据报道,3月25日,2026中关村论坛年会开幕式暨全体会议举行,2025年度“中国科学十大进展”在开幕式上发布,全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片入选,其性能“碾压”目前的Flash闪存技术,比闪存快了100万倍。
手机用久了变卡、电脑打开大文件要等半天,这背后,其实是存储芯片的速度拖了后腿。尤其在AI时代,数据量爆炸式增长,传统存储芯片的速度和功耗,已经成为制约算力的“瓶颈”。这项技术有望彻底解决AI时代的存储瓶颈,让手机本地运行大模型成为可能。业内分析人士认为,该技术颠覆传统存储器体系,为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑,让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。这是中国集成电路领域的‘源技术’,使我国在下一代存储核心技术领域掌握了主动权。