湖北江城芯片申请晶圆键合方法专利，降低空洞产生的概率
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2026-03-27 11:16:31
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国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种晶圆键合方法、晶圆键合结构及电子设备”的专利，公开号CN121752112A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种晶圆键合方法、晶圆键合结构及电子设备，晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆的键合面形成键合结构；对第一晶圆和第二晶圆进行第一热处理，使第一晶圆和第二晶圆的键合结构的晶粒尺寸增大；将第一晶圆与第二晶圆进行键合；对第一晶圆和第二晶圆进行第二热处理。第一热处理使得键合结构的晶粒的尺寸增大，进而，在进行第二热处理时，由于较大的晶粒尺寸具有更优异的延展性及韧性，因此，在第二热处理后的遇冷回缩时，可通过晶粒内部的位错滑移产生充分的塑性变形，以此实现应变的吸收与协调，从而减少冷却后键合结构的晶粒的回缩量，降低空洞产生的概率。
天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可9个。
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来源：市场资讯
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