晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的可靠性
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2026-05-13 15:28:23
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122028719A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成叠层结构，叠层结构包括层叠设置的研磨停止层和掩膜层，掩膜层位于研磨停止层远离基底的一侧；于叠层结构中形成隔离沟槽，隔离沟槽贯穿叠层结构，并延伸至基底中；于隔离沟槽中填充形成隔离材料层，隔离材料层延伸至叠层结构远离基底的顶表面上；采用化学机械研磨工艺研磨掩膜层和隔离材料层，直至露出研磨停止层，形成由剩余隔离材料层构成的初始隔离结构；初始隔离结构远离基底的顶表面和研磨停止层远离基底的顶表面齐平；去除研磨停止层，以及与研磨停止层同层的初始隔离结构，形成由剩余初始隔离结构构成的隔离结构。提升半导体结构的可靠性。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息1644条，此外企业还拥有行政许可26个。
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来源：市场资讯
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