上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，减小了开口的形成工艺的难度_电子应用

上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，减小了开口的形成工艺的难度

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2025-05-28 19:34:05

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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120048795A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法，包括：在第一层间介质层内形成第一金属导线和位于第一金属导线一侧的第二金属导线后，回刻蚀去除部分厚度的所述第二金属导线，使得所述第二金属导线的顶面低于所述第一金属导线的顶面；之后在所述第一层间介质层顶面形成第二层间介质层；在所述第二层间介质层中形成开口，所述开口横跨在部分所述第一金属导线和部分所述第二金属导线的正上方，且所述开口的部分底部露出所述第一金属导线的部分顶面；形成填充满所述开口的第三金属导线。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1822次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

企业方法显示介质减小了导线导体结构专利金属介质层顶面

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