广能达半导体申请基于射频电源的快速灭弧方法等专利，提升灭弧速度
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2025-06-07 20:05:49
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“基于射频电源的快速灭弧方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN120108996A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及射频电源技术领域，揭露一种基于射频电源的快速灭弧方法，包括：获取射频电路中射频电源的电源工作时间，并在电源工作时间大于预设时间时，获取射频电源的电源入射功率；判断电源入射功率是否大于预设入射功率阈值；当大于时，获取射频电源的射频电源反射功率；当电源反射功率小于预设反射功率阈值时，基于电源入射功率和电源反射功率对射频电路进行电弧检测；当射频电路存在电弧时，将射频功率从P1下降到P2，并在预设时间之后，将射频功率在规定时间内均匀上升至P1，重复上述步骤多次，直至检测不出射频电路的电弧。本发明还提出一种基于射频电源的快速灭弧装置、设备及存储介质。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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