安徽格恩半导体申请氮化镓基半导体激光器专利，提升激光光束质量因子
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2025-07-02 19:10:20
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN120237530A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层。本发明在半导体激光元件中设置多层结构的多重空位电子声子调控层，限定每层多重空位电子声子调控层的电子亲和能分布特性以及极化光学声子能量分布特性，以形成单空位、空位集团与多空位调控电子声子结构，将电子声子局域在下限制层与下波导层之间，降低泵浦光与振荡光之间的光子能量差形成的斯托克斯频移，降低声子振动和声子输运的热损耗，提升激光元件的散热性和改善外延层间热失配，抑制激光器的热透镜效应和应力双折射效应，改善激光光束失真和去极化问题，提升激光光束质量因子。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息480条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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