威兆半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利,优化半导体功率器件性能
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2025-07-08 22:10:06
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金融界2025年7月8日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市威兆半导体股份有限公司申请一项名为“半导体功率器件及其制备方法”的专利,公开号CN120282480A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,公开了一种半导体功率器件及其制备方法,半导体功率器件制备方法包括:提供一衬底,在衬底上形成若干个栅沟槽;提供一复合功能层,复合功能层包括依次形成在栅沟槽的槽底与侧壁上的第一氧化层、氮化硅层及第二氧化层;在栅沟槽内淀积第一多晶硅层;在栅沟槽内淀积覆盖第一多晶硅层和复合功能层的隔离氧化层,以及在栅沟槽上形成第三氧化层,第三氧化层覆盖栅沟槽的侧壁且在衬底的顶面连接相邻的栅沟槽;在栅沟槽内淀积覆盖隔离氧化层的第二多晶硅层;在衬底上形成体区及位于体区之上的源区;在衬底上形成源极金属层,以及衬底背金形成漏区。

天眼查资料显示,深圳市威兆半导体股份有限公司,成立于2012年,位于深圳市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6188万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市威兆半导体股份有限公司共对外投资了5家企业,财产线索方面有商标信息32条,专利信息118条,此外企业还拥有行政许可20个。

来源:金融界

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