金融界2025年7月14日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120299996A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有待处理层,以及位于所述待处理层上的叠层结构;在所述叠层结构上形成牺牲层;形成抗反射涂层,所述抗反射涂层露出部分所述牺牲层的表面;以所述抗反射涂层为掩膜,依次对所述牺牲层和所述叠层结构进行刻蚀,露出部分所述待处理层的表面;以所述牺牲层为掩膜,对所述待处理层进行刻蚀,形成目标图层;去除所述牺牲层。
天眼查资料显示,浙江创芯集成电路有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目250次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息326条,此外企业还拥有行政许可6个。
来源:金融界