中芯国际申请半导体结构及半导体结构的形成方法专利，方法易于制造，节省光罩
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2025-07-30 12:41:44
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金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120388937A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成相邻的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层的长度方向和第二金属层的长度方向平行于第一方向，所述第一金属层和第二金属层之间具有第一间距，所述第一间距小于预设范围；在所述第一金属层上、或者在第一金属层上和第二金属层上形成第一连接层，所述第一连接层与所述第一金属层电连接，所述第一连接层与所述第二金属层电连接；在第一连接层上形成第一导电层，所述第一导电层的长度方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述方法易于制造，节省光罩。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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