湘能华磊申请提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法专利，有利于提高发光效率
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2025-08-02 08:39:36
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，湘能华磊光电股份有限公司申请一项名为“一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法”的专利，公开号CN120417586A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供了一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法，涉及半导体芯片制作技术领域，包括S1：对衬底进行脱附处理；S2：在衬底的顶部依次单晶生长缓冲层、非掺杂GaN层和n型GaN层；S3：在n型GaN层中单晶生长InGaN/GaN多量子阱层；S4：在InGaN/GaN多量子阱层上单晶生长AlGaN电子阻挡层；S5：在AlGaN电子阻挡层上单晶生长P型GaN层；在InGaN/GaN多量子阱层内部形成多个V形坑；其技术要点为：通过控制单晶生长InGaN/GaN多量子阱层过程中，于InGaN/GaN多量子阱层内部形成多个V形坑，可以减少V形坑附近的位错吸收量子阱发出的光，进而可以减少非辐射复合，有利于提高发光效率。
天眼查资料显示，湘能华磊光电股份有限公司，成立于2008年，位于郴州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本43700.129万人民币。通过天眼查大数据分析，湘能华磊光电股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目340次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息670条，此外企业还拥有行政许可39个。
来源：金融界
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