中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提升形成的多阈值电压鳍式场效应晶体管性能
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2025-08-02 18:11:19
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120417477A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底包括P型器件区和N型器件区，N型器件区包括第一阈值电压区、第二阈值电压区和第三阈值电压区，P型器件区包括第四阈值电压区、第五阈值电压区和第六阈值电压区；位于第一阈值电压区的第一栅极结构；位于第二阈值电压区的第二栅极结构；位于第三阈值电压区的第三栅极结构，第一栅介质层、第二栅介质层以及第三栅介质层内含有N型极化粒子的含量不同；位于第四阈值电压区的第四栅极结构；位于第五阈值电压区的第五栅极结构；位于第六阈值电压区的第六栅极结构，第四栅介质层、第五栅介质层以及第六栅介质层内含有P型极化粒子的含量不同，提升形成的多阈值电压鳍式场效应晶体管性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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