新华三半导体申请一种绕线路径生成方法等相关专利，提高芯片的绕线路径的生成效率
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2025-08-02 20:13:44
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，新华三半导体技术有限公司申请一项名为“一种绕线路径生成方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN120409414A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种绕线路径生成方法、装置、电子设备及存储介质，涉及芯片设计技术领域，方法包括：获得基于芯片设计图生成的芯片中子系统的无向图，无向图中节点表征子系统包括的后端BE和相邻子系统对应的虚拟BE，无向图中边表征：所连接节点表征的BE相邻；基于无向图中各边的设定权重，确定每一对节点中两个节点间的基准路径，边的权重表征：所连接节点表征的BE之间的绕线难度；确定存在连接关系的第一BE对；基于第一BE对对应的第一节点对之间的第一基准路径，生成在目标BE的模拟电路中插入有寄存器的绕线路径，目标BE为：第一基准路径经过的节点表征的BE。
天眼查资料显示，新华三半导体技术有限公司，成立于2019年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，新华三半导体技术有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息161条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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