南瑞半导体申请新型场解耦式IGBT焊接功率模块及制作方法专利，实现电场与热场的解耦
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2025-08-03 00:11:53
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为“一种新型场解耦式IGBT焊接功率模块及制作方法”的专利，公开号CN120413570A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及功率模块领域，公开了一种新型场解耦式IGBT焊接功率模块，其包括基板，所述基板整体成矩形设置，所述基板的表面开设有螺丝孔；DBC衬板，所述DBC衬板安装在所述基板正面，所述DBC衬板表面贴装有硅基芯片；分区槽，所述分区槽开设在所述基板正面，所述分区槽开设用于所述基板正面区域分布，且正面分布区域对称设计，所述DBC衬板安装在所述基板正面分布区域；底槽，所述底槽开设在所述基板背面。通过独特的结构设计，实现了电场与热场的解耦，有效提高了模块的散热性能和电场分布的均匀性。该模块具有优异的耐高温性能和可靠性，适用于高功率密度和高温环境下的电力电子系统。
天眼查资料显示，南京南瑞半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本86671.89万人民币。通过天眼查大数据分析，南京南瑞半导体有限公司参与招投标项目351次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息133条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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