谱析光晶申请基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法专利，降低导通电阻并提升开关速度
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2025-08-04 19:09:59
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN120417445A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件，由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞从下向上依次包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极，所述半导体外延层包括有N衬底层、N扩散层、主P+层、主N阱层和主P阱层，单个所述MOS元胞的内部且位于主N阱层内蚀刻有L型双沟槽，该L型双沟槽内部填充有填充介质，所述填充介质与源极欧姆接触。本发明通过在主N阱层内设计L型双沟槽并填充介质，结合主N阱层的L形截面轮廓，优化了载流子传输路径和电场分布。该结构显著增强栅极对沟道的控制能力，减少传统平面栅结构的电流路径曲折性，从而降低导通电阻并提升开关速度。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目16次，专利信息163条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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