安森德申请与电源无关的高压场效应管ZTAT电流产生系统专利，能在无需复杂结构放大器环路和LDO电源转换时输出零温度系数带隙电流_电子应用

安森德申请与电源无关的高压场效应管ZTAT电流产生系统专利，能在无需复杂结构放大器环路和LDO电源转换时输出零温度系数带隙电流

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2025-08-05 23:12:17

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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，深圳安森德半导体有限公司申请一项名为“与电源无关的高压场效应管ZTAT电流产生系统”的专利，公开号CN120428810A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了与电源无关的高压场效应管ZTAT电流产生系统，包括电流源产生电路、启动电路、温度补偿电路和带隙电流输出电路；电流源产生电路的第一输入端和第二输入端与启动电路的第一输出端和第二输出端一一对应连接，电流源产生电路的第一输出端与带隙电流输出电路的第一输入端连接，电流源产生电路的第二输出端与温度补偿电路的输入端连接，温度补偿电路的输出端与带隙电流输出电路的第二输入端连接。相比于传统的三极管带隙基准源，本发明能够在不需要复杂结构放大器环路和LDO电源转换的情况下输出零温度系数的带隙电流，在一些对芯片面积，电源电压要求较高以及某些三极管迁移率表现不佳的工艺下具有良好的使用效果。

天眼查资料显示，深圳安森德半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2200万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳安森德半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

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