无锡尚积半导体取得防污染工艺腔体专利，实现传输腔上下层密封
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2025-08-16 18:50:09
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种防污染工艺腔体”的专利，授权公告号CN223226165U，申请日期为2024年09月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种防污染工艺腔体，所述腔体包括平台腔和传输腔，所述腔体用于将需要做工艺的晶圆从传输腔的一端输送入平台腔，所述平台腔与所述传输腔连接，所述传输腔一端为进出片口，其另一端与平台腔进行连通，所述传输腔内设置有阻隔结构，通过阻隔结构将传输腔分隔为上下两层，包括用于存放工艺完成的晶圆的传输腔上层和用于存放需要做工艺的晶圆的传输腔下层，本实用新型主要是传输腔分上下层，同时阻挡板延伸至与密封组件的密封垫接触，实现上下层的密封。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2147.0967万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可15个。

来源：金融界

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