朗姆研究申请不断开高功率电路的电容测量专利，提供用于等离子体辅助的半导体处理的方法和装置
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2025-08-16 20:16:19
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“不断开高功率电路的电容测量”的专利，公开号CN120497150A，申请日期为2019年02月。
专利摘要显示，提供了一种用于等离子体辅助的半导体处理的方法和装置。该方法包括：a)在所述多个站中的每个站处提供衬底；b)将包括第一目标频率的RF功率分配给多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，根据配置为减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率；c)调谐用于被包括在所述多个站中的第一站的阻抗匹配电路，同时通过以下方式将RF功率分配给所述第一站：i)在不将电容器与所述阻抗匹配电路断开的情况下，测量所述阻抗匹配电路中的所述电容器的电容；以及ii)根据(i)中所测得的所述电容和所述RF功率参数，调节所述电容器的电容；以及d)在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。
来源：金融界
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