金融界2025年8月18日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利,公开号CN120500113A,申请日期为2025年05月。
专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法,其中,半导体结构包括:第一晶圆,包括第一子部和位于第一子部上方的第二子部,第一子部包括中心区域和环绕中心区域的边缘区域,第二子部位于中心区域;一个或多个第二晶圆,位于第二子部背离第一子部的一侧;至少一个沟槽组,位于边缘区域,沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽,第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度。
来源:金融界