英飞凌取得具有掩埋深沟槽结构的传感器设备制造方法及设备专利
创始人
2025-11-29 16:07:13
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司取得一项名为“用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法和传感器设备”的专利，授权公告号CN112885854B，申请日期为2020年11月。

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来源：市场资讯

制造 科技 市场 投资 沟槽 设备 传感器 结构 需谨慎 专利 公告号

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