物元半导体申请一种半导体器件及其制备方法专利，可以将蝶形缺陷大小控制在10nm以下
国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121034954A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，包括以下步骤：提供具有依次层叠的介电层、阻挡层和焊盘层的半导体结构，介电层中设置有沟槽，焊盘层填充所述沟槽；去除部分焊盘层以暴露阻挡层，并在沟槽内的焊盘层上方形成第一凹槽；对半导体结构进行第二研磨，去除阻挡层和部分介电层，并使焊盘层延伸至沟槽外以形成凸起；去除部分焊盘层和部分介电层，并在沟槽内的焊盘层上方形成第二凹槽。该制备方法通过在第二研磨过程中使焊盘层形成凸起，能够提高研磨过程中蝶形缺陷的修复能力，进而减小蝶形缺陷的尺寸，可以将蝶形缺陷大小控制在10nm以下，减少了后道键合工艺中键合界面气泡的产生，提高了产品最终良率和产品质量。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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