2026年伊始,全球存储芯片市场延续了自2024年末以来的涨价态势。据《韩国经济日报》报道,知情人士透露,三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM(动态随机存取存储器)价格较2025年第四季度提升60%至70%。报道称,两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。
对于上述涨价传闻,SK海力士方面表示不予置评,三星半导体则未予回应。
此次大幅调价主要基于市场供需关系的持续紧张。报道指出,三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议,以灵活适应价格变动。有知情人士称,两家公司已将面向微软、AWS和谷歌等云服务器厂商的报价调高。
市场研究机构TrendForce的调查也显示,由于DRAM原厂大规模转移先进制程产能至服务器与HBM应用,以满足AI服务器需求,导致其他市场的供给严重紧缩。该机构预计,2026年第一季度传统DRAM合约价格将较上一季度上涨约55%至60%,NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。TrendForce还预计,本季度服务器DRAM的价格环比上涨将超过60%。
与此同时,国内存储产业也迎来关键发展窗口。作为全球第四大DRAM原厂,长鑫科技的科创板IPO申请已获受理。根据招股书,公司拟募集资金295亿元,主要用于量产线技改、DRAM技术升级及前瞻技术研发。其中,设备购置安装费用占比较高,相关项目大部分设备导入预计在2027年底前完成。
此外,广东长兴半导体科技有限公司近期取得了一项名为“一种针对存储芯片制备下的场景建模方法及系统”的专利。
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来源:市场资讯