群创光电申请半导体芯片制造方法专利，可在半导体芯片转移后直接进行检测
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2025-07-21 12:38:19
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体芯片的制造方法”的专利，公开号CN120344049A，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本揭露提供一种半导体芯片的制造方法。半导体芯片的制造方法包括以下步骤：提供第一载板；将半导体晶粒转移至第一载板上，其中半导体晶粒具有彼此相对的表面与另一表面；形成填充层于半导体晶粒的侧表面上；形成反射层于半导体晶粒以及侧表面上，其中，反射层包括第一部分与第二部分，第一部分设置于半导体晶粒的表面上，第二部分设置于填充层上；以及形成透明导电层于半导体晶粒的另一表面上。
来源：金融界
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