北方华创申请半导体叠层结构的刻蚀相关专利，可实现对半导体叠层结构中第一半导体层侧壁选择性刻蚀
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2025-07-28 20:39:11
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备”的专利，公开号CN120376412A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备，该刻蚀方法包括：采用第一工艺气体对半导体叠层结构中的第一半导体层的侧壁进行选择性刻蚀，以使得第一半导体层的侧壁在第二方向相对于第二半导体层凹陷，第二方向垂直于第一方向；其中，第一工艺气体包括第一刻蚀气体，第一刻蚀气体包括第一含氟气体和第二含氟气体；第一含氟气体对第一半导体层相对第二半导体层的刻蚀选择比高于第二含氟气体对第一半导体层相对第二半导体层的刻蚀选择比；且，第二含氟气体对第一半导体层的刻蚀速率高于第一含氟气体对第一半导体层的刻蚀速率。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1096次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。
来源：金融界
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