艾普诺瓦泰克申请半导体结构专利,包括特殊层组布置结构
创始人
2025-08-02 11:43:06
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金融界2025年8月2日消息,国家知识产权局信息显示,艾普诺瓦泰克公司申请一项名为“半导体结构”的专利,公开号CN120418929A,申请日期为2024年01月。

专利摘要显示,一种半导体结构(1),包括:基板(2);基础层(10),该基础层(10)包括AlGaN层,该基础层(10)布置在基板(2)上方;至少一个层组(20),至少一个层组(20)布置在基础层(10)上方,其中,至少一个层组(20)中的每一个包括:第一层(21),该第一层(21)是InGaN的层并且包括量子点(24);第二层(22),该第二层(22)是InGaN的层,该第二层(22)布置在第一层(21)上以及第一层(21)上方,其中,第二层(22)横向地包围第一层(21)的量子点(24),其中,第二层(22)的InGaN的材料组成不同于第一层(21)的InGaN的材料组成。

来源:金融界

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