艾普诺瓦泰克申请半导体结构专利，包括特殊层组布置结构
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2025-08-02 11:43:06
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，艾普诺瓦泰克公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN120418929A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构(1)，包括：基板(2)；基础层(10)，该基础层(10)包括AlGaN层，该基础层(10)布置在基板(2)上方；至少一个层组(20)，至少一个层组(20)布置在基础层(10)上方，其中，至少一个层组(20)中的每一个包括：第一层(21)，该第一层(21)是InGaN的层并且包括量子点(24)；第二层(22)，该第二层(22)是InGaN的层，该第二层(22)布置在第一层(21)上以及第一层(21)上方，其中，第二层(22)横向地包围第一层(21)的量子点(24)，其中，第二层(22)的InGaN的材料组成不同于第一层(21)的InGaN的材料组成。
来源：金融界
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