全芯微半导体申请mosfet用智能复合终端结构专利，实现电场均匀分布
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2025-08-04 18:13:01
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳全芯微半导体有限公司申请一项名为“一种mosfet用智能复合终端结构”的专利，公开号CN120417422A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体领域，公开了一种mosfet用智能复合终端结构，包括若干个近源沟槽以及间距为D的若干个终端沟槽，至少一个近源沟槽的一侧配置p型阱区，p型阱区至少一个肩部形成N型重掺杂源极；终端沟槽内形成多晶硅层，多晶硅层具有弧形界面，远离近源沟槽的终端沟槽的间距D大于靠近近源沟槽的终端沟槽的间距D。

天眼查资料显示，深圳全芯微半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2137.37万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳全芯微半导体有限公司共对外投资了8家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可4个。

来源：金融界

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