华虹半导体申请沟槽型MOS器件制作方法专利，公开相关制作流程_资源案例

华虹半导体申请沟槽型MOS器件制作方法专利，公开相关制作流程

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2025-08-17 00:12:22

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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件的制作方法”的专利，公开号CN120500095A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，沟槽和衬底的表面形成有第一氧化物层，沟槽中填充有第一多晶硅层，第一多晶硅层的顶部形成有V字型凹陷；对第一多晶硅层顶部周侧预定区域的第一氧化物层进行刻蚀，使第一多晶硅层的顶部高于周侧的第一氧化物层；进行刻蚀，去除预定深度的第一多晶硅层，使所第一多晶硅层顶部的形貌为凸起的形貌；形成第二氧化物层，第二氧化物层填充沟槽；进行刻蚀，去除衬底表面，以及沟槽中预定深度的第一氧化物层和第二氧化物层；在衬底和第一多晶硅层暴露的表面形成第三氧化物层；在沟槽中填充第二多晶硅层。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目915次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可431个。

来源：金融界

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