超硅半导体申请衬底的清洗方法专利，高效、彻底地清洗衬底表面各类杂质_资源案例

超硅半导体申请衬底的清洗方法专利，高效、彻底地清洗衬底表面各类杂质

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2025-12-04 10:43:55

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国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司、重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“衬底的清洗方法”的专利，公开号CN121054472A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明所要解决的技术问题是，提供一种衬底的清洗方法，能够高效、彻底地清洗衬底表面各类杂质，同时避免对衬底表面造成损伤，满足半导体制造工艺对衬底清洁度严格要求。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底的清洗方法，包括：提供一衬底；对所述衬底表面在第一温度下采用氨水缓冲液进行第一次清洗；对所述衬底表面在第二温度下采用氨水缓冲液进行第二次清洗。上述技术方案在第一温度下用氨水缓冲液清洗衬底，具有高效去除杂质的优点。第二温度下再次用氨水缓冲液清洗，可进一步去除残留杂质。避免因高温导致衬底表面结构变化，保障半导体器件的电学性能不受损害，确保衬底清洗的彻底性和稳定性。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息247条，此外企业还拥有行政许可193个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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